绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。
1.特点:
● 低电感高可靠封装
● 高绝缘耐压
● 干法焊接工艺
● 防内凹的结构
2.典型应用领域
直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
3.主要额定值及特性参数
A、模块的额定值及特性参数
型号
VCES
IC(Tc=25℃)
ICRM
VGES
VCE(sat)(IC=60A,VGE=15V)
VGE(th)(IC=60mA,VGE=VCE)
RthJC
Rth(c-h)
V
A
K/W
MGC60
1000
60
120
±25
1.95
5.5
0.4
0.05